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Cree C2M™碳化硅功率MOSFET
[发布时间:2018/6/1 21:45:00]  阅读次数:401
Cree C2M™碳化硅(SiC)功率MOSFET可让工程师取代硅晶体管(IGBT),开发出具有超快开关速度和极低开关损耗的高电压回路。在全碳化硅(all-SiC)系统中配合Cree的Z-Rec®碳化硅肖特二极管一起使用,Cree C2M碳化硅(SiC)MOSFET可让设计工程师实现无与伦比的能效,同时可将尺寸和重量大幅减低,而这些在具有类似额定值的硅功率器件上根本无法实现。

与同类产品相比,这些MOSFET具有最低的开关损耗和明显更高的开关频率,因此可提供世界级的效率。这款革命性的产品还大大减小了磁性元件和滤波器元件的尺寸,并对冷却要求大幅降低。

Cree C2M碳化硅MOSFET的正温度系数允许安全简单地与较高功率系统的器件并联,同时在整个温度范围内RDS(on) 的整体总增量仅为20%。这些MOSFET优化后适用于对能效有严格要求的高电压应用,比如高电压电源、辅助电源电路、3-10kW太阳能逆变器、工业电机驱动、高功率直流数字中心电源架构以及功率因数校正电路。
 C2M1000170J TO-263-7 N-Channel     
 C2M1000170D TO-247-3 N-Channel     
 C2M0080120D TO-247-3 N-Channel     
 C2M0025120D TO-247-3 N-Channel     
 C2M0045170D TO-247-3 N-Channel     
 C2M0040120D TO-247-3 N-Channel     
 C2M0280120D TO-247-3 N-Channel     
 C2M0160120D TO-247-3 N-Channel     
C2M0080170D TO-247-4 N-Channel

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