深圳市金嘉锐电子有限公司
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IXFH12N120P的技术参数
[发布时间:2019/5/14 9:49:00] 阅读次数:540 制造商: IXYS 上一篇:供应:FDS2572 下一篇:FDMC7208S的...
产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: 1.35 Ohms Vgs th-栅源极阈值电压: 6.5 V Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Qg-栅极电荷: 103 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 543 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: Polar, HiPerFET 封装: Tube 高度: 21.46 mm 长度: 16.26 mm 系列: IXFH12N120 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: Polar Power MOSFET HiPerFET 宽度: 5.3 mm 商标: IXYS 正向跨导 - 最小值: 5 S 下降时间: 34 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 25 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 62 ns 典型接通延迟时间: 34 ns 单位重量: 6.500 g |