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IXFH12N120P的技术参数
[发布时间:2019/5/14 9:49:00]  阅读次数:540
制造商: IXYS 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-247-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV 
Id-连续漏极电流: 12 A 
Rds On-漏源导通电阻: 1.35 Ohms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 6.5 V 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
Qg-栅极电荷: 103 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 543 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: Polar, HiPerFET 
封装: Tube 
高度: 21.46 mm  
长度: 16.26 mm  
系列: IXFH12N120  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: Polar Power MOSFET HiPerFET  
宽度: 5.3 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - 最小值: 5 S  
下降时间: 34 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 25 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 62 ns  
典型接通延迟时间: 34 ns  
单位重量: 6.500 g
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