制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SOIC-8 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 2 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 20 V 
Id-连续漏极电流: 6.6 A 
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV 
Qg-栅极电荷: 18 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 2 W 
通道模式: Enhancement 
配置: Dual 
下降时间: 31 ns 
正向跨导 - 最小值: 20 S 
高度: 1.75 mm 
长度: 4.9 mm 
产品类型: MOSFETs 
上升时间: 17 ns 
子类别: Transistors 
晶体管类型: 2 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 38 ns 
典型接通延迟时间: 8.1 ns 
宽度: 3.9 mm 
单位重量: 540 mg